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IGBT單管
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國際領(lǐng)先的溝槽+場截至技術(shù),廣泛應(yīng)用于UPS,通用變頻器,變頻家電,焊機以及電磁感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
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IPM
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IGBT模塊
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基于緊湊型高性價比結(jié)構(gòu),以及可靠安裝的設(shè)計理念
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驅(qū)動IC
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基于先進的高壓工藝平臺的驅(qū)動IC可以滿足工業(yè)、家電產(chǎn)品等多種領(lǐng)域?qū)τ陔娏刂萍半妱訖C控制的多樣化需求。
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芯能半導(dǎo)體為你提供全面解決方案
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新能源汽車
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新聞資訊
New Product | C2 Module 1200V/800A
2024-06-19
芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V800A C2模塊,該模塊采用自主研發(fā)的基于MPT工藝平臺的IGBT和發(fā)射極控制技術(shù)的FRD,封裝兼容62mm。
New Product | C2 Module 1200V/800A
2024-06-19
芯能半導(dǎo)體紐倫堡(PCIM Europe 2024)之行
2024-06-18
2024年6月11-13日,深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司受邀參加德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(PCIM Euorpe)
芯能半導(dǎo)體紐倫堡(PCIM Europe 2024)之行
2024-06-18
芯能半導(dǎo)體通過"廣東省工程中心"認定
2024-04-28
芯能半導(dǎo)體通過"廣東省工程中心"認定
芯能半導(dǎo)體通過"廣東省工程中心"認定
2024-04-28
New Product | SiC Power Module 1200V/1000A
2024-04-24
芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V_1000A C5模塊,該模塊采用高性能、高可靠性的1200V SiC MOSFET。Xiner Semiconductor has launched a new 1200V_1000A C5 power module, which uses 1200V SiC MOSFETs with high performance and high reliability.
New Product | SiC Power Module 1200V/1000A
2024-04-24
芯能半導(dǎo)體|合肥廠房交接儀式
2024-04-11
2024年4月11日,芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行,本次交接項目為一棟三層半結(jié)構(gòu),約13000m2。合肥安巢經(jīng)開區(qū)管委會代表、芯能半導(dǎo)體公司代表等共同見證這一重要時刻。
芯能半導(dǎo)體|合肥廠房交接儀式
2024-04-11
新品發(fā)布|C2模塊1200V/600A
2024-04-02
芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V600A C2模塊,該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片。主要應(yīng)用在光伏、儲能、電機控制器等領(lǐng)域。
新品發(fā)布|C2模塊1200V/600A
2024-04-02
基于SiC-MOS IPM的汽車空調(diào)應(yīng)用方案
2024-01-10
芯能半導(dǎo)體推出基于SiC-MOS IPM的汽車空調(diào)應(yīng)用方案
基于SiC-MOS IPM的汽車空調(diào)應(yīng)用方案
2024-01-10
“慕”名而來,用“芯”合作
2023-10-31
2023年10月30日,慕尼黑華南電子展如期舉行
“慕”名而來,用“芯”合作
2023-10-31
公告
2023-10-31
關(guān)于防范不法分子假冒本公司產(chǎn)品從事欺詐活動的公告
公告
2023-10-31
創(chuàng)新不止,深扎工業(yè)電機驅(qū)動
2023-10-10
芯能半導(dǎo)體正在推出下一代V系列芯片
創(chuàng)新不止,深扎工業(yè)電機驅(qū)動
2023-10-10
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